［发明专利1］一种用于制备半导体膜的化学浴沉积方法及其反应器

（发明专利号：ZL 2012 8 0031536.9，授权日：2015-07-29）

［发明专利2］一种通过卷对卷过程制备半导体膜的化学浴沉积设备

（发明专利号：ZL 2012 8 0027440.5，授权日：2015-11-25）

发明人／专利权持有人：王家雄

     1. 技术领域

本发明专利涉及一种可用于在平面衬底（如玻璃板，发明专利1）或柔性衬底（如金属或非金属卷材，发明专利2）上沉积半导体薄膜的化学浴沉积反应器及其工艺技术，可用于取代真空镀膜的方法，以低成本而高效的方式沉积半导体及化合物薄膜。

2. 背景技术

镀膜是半导体工业中最重要的制备方法之一，薄膜的制备通常以真空方法进行，比如物理汽相沉积法（PVD）和化学汽相沉积法（CVD）。真空镀膜方法的基本缺陷是设备昂贵、材料利用率低、沉积速率慢（如真空溅射，源于半导体膜材料导电性差）、均匀性较差及阴影效应等。作为非真空镀膜方法的化学浴沉积方法则具有设备便宜、沉积速率快、均匀性强等优势。其基本原理是使溶液中的阴阳离子吸附到衬底表面形成不溶性的薄膜，大部分半导体膜及化合物均可用此法沉积。

3. 技术简介

    本发明专利提供了建造大型全自动化学浴沉积设备的详尽信息及工艺技术。半导体膜化学浴沉积设备目前由国外公司垄断，无论是用于平板玻璃或卷对卷的设备一套售价几百万美元。本专利提供的技术打破了国外封锁，据此所制造的设备不但可应用于国内的半导体工业，还可出口到发达国家，本发明所提供的非真空镀膜设备和工艺技术可广泛应用于新能源、新材料、电子、建材、交通等不同领域。

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